7% off
Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
HXY MOSFET HC1M40120J
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HC1M40120J |
| Codice Parte EBEE | E841428801 |
| Confezione | TO-263-7L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>59 In Magazzino per Consegna Rapida
59 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.6219 | $ 10.6219 |
| 10+ | $10.1196 | $ 101.1960 |
| 50+ | $9.2510 | $ 462.5500 |
| 100+ | $8.4909 | $ 849.0900 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET HC1M40120J | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 40mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 326W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.766nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 112nC |
Guida all’acquisto
Espandi
59 Stock for Shipping Fast
59 available for immediate shippingPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.6219 | $ 10.6219 |
| 10+ | $10.1196 | $ 101.1960 |
| 50+ | $9.2510 | $ 462.5500 |
| 100+ | $8.4909 | $ 849.0900 |
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
