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HXY MOSFET HC1M320120D
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HC1M320120D |
| Codice Parte EBEE | E841428808 |
| Confezione | TO-247-4L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | HXY MOSFET HC1M320120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 450mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 324pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 24pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23.5nC |
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