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GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GA10JT12-263 |
| Codice Parte EBEE | E83282332 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.1843 | $ 18.1843 |
| 200+ | $7.0374 | $ 1407.4800 |
| 500+ | $6.7908 | $ 3395.4000 |
| 1000+ | $6.6683 | $ 6668.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 170W | |
| Corrente di scarico continuo | 25A | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
Guida all’acquisto
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| 500+ | $6.7908 | $ 3395.4000 |
| 1000+ | $6.6683 | $ 6668.3000 |
