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GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | G3R75MT12K |
| Codice Parte EBEE | E85748099 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $25.9619 | $ 25.9619 |
| 210+ | $10.3607 | $ 2175.7470 |
| 510+ | $10.0139 | $ 5107.0890 |
| 990+ | $9.8423 | $ 9743.8770 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 207W | |
| Corrente di scarico continuo | 41A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
Guida all’acquisto
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| 510+ | $10.0139 | $ 5107.0890 |
| 990+ | $9.8423 | $ 9743.8770 |
