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GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | G3R45MT17D |
| Codice Parte EBEE | E83290724 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $39.2058 | $ 39.2058 |
| 200+ | $15.1731 | $ 3034.6200 |
| 500+ | $14.6390 | $ 7319.5000 |
| 1000+ | $14.3764 | $ 14376.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 438W | |
| Corrente di scarico continuo | 61A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1700V |
Guida all’acquisto
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| 500+ | $14.6390 | $ 7319.5000 |
| 1000+ | $14.3764 | $ 14376.4000 |
