Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | G3R40MT12D |
| Codice Parte EBEE | E83281044 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $42.5408 | $ 42.5408 |
| 200+ | $16.4625 | $ 3292.5000 |
| 500+ | $15.8845 | $ 7942.2500 |
| 1000+ | $15.5983 | $ 15598.3000 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 333W | |
| Corrente di scarico continuo | 71A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $42.5408 | $ 42.5408 |
| 200+ | $16.4625 | $ 3292.5000 |
| 500+ | $15.8845 | $ 7942.2500 |
| 1000+ | $15.5983 | $ 15598.3000 |
