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GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | G3R350MT12D |
| Codice Parte EBEE | E85644656 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.6192 | $ 9.6192 |
| 210+ | $3.8390 | $ 806.1900 |
| 510+ | $3.7100 | $ 1892.1000 |
| 990+ | $3.6473 | $ 3610.8270 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D | |
| RoHS |
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