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GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | G3R30MT12J |
| Codice Parte EBEE | E83291163 |
| Confezione | TO-263-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $54.5179 | $ 54.5179 |
| 200+ | $21.0991 | $ 4219.8200 |
| 500+ | $20.3570 | $ 10178.5000 |
| 1000+ | $19.9905 | $ 19990.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 459W | |
| Corrente di scarico continuo | 96A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
Guida all’acquisto
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| 500+ | $20.3570 | $ 10178.5000 |
| 1000+ | $19.9905 | $ 19990.5000 |
