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GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | G3R20MT12N |
| Codice Parte EBEE | E83280066 |
| Confezione | SOT-227 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | SOT-227 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $69.9440 | $ 69.9440 |
| 200+ | $27.0688 | $ 5413.7600 |
| 500+ | $26.1159 | $ 13057.9500 |
| 1000+ | $25.6475 | $ 25647.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 365W | |
| Corrente di scarico continuo | 105A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
Guida all’acquisto
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| 500+ | $26.1159 | $ 13057.9500 |
| 1000+ | $25.6475 | $ 25647.5000 |
