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GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | G3R20MT12K |
| Codice Parte EBEE | E83290744 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $92.1704 | $ 92.1704 |
| 200+ | $35.6689 | $ 7133.7800 |
| 500+ | $34.4163 | $ 17208.1500 |
| 1000+ | $33.7963 | $ 33796.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 542W | |
| Corrente di scarico continuo | 128A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V |
Guida all’acquisto
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| 500+ | $34.4163 | $ 17208.1500 |
| 1000+ | $33.7963 | $ 33796.3000 |
