| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | G3R160MT17J |
| Codice Parte EBEE | E83291151 |
| Confezione | TO-263-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $14.3941 | $ 14.3941 |
| 200+ | $5.5699 | $ 1113.9800 |
| 500+ | $5.3748 | $ 2687.4000 |
| 1000+ | $5.2790 | $ 5279.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 187W | |
| Corrente di scarico continuo | 22A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1700V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $14.3941 | $ 14.3941 |
| 200+ | $5.5699 | $ 1113.9800 |
| 500+ | $5.3748 | $ 2687.4000 |
| 1000+ | $5.2790 | $ 5279.0000 |
