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GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | G2R120MT33J |
| Codice Parte EBEE | E83291148 |
| Confezione | TO-263-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $140.0672 | $ 140.0672 |
| 200+ | $54.2050 | $ 10841.0000 |
| 500+ | $52.2992 | $ 26149.6000 |
| 1000+ | $51.3588 | $ 51358.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J | |
| RoHS | ||
| Corrente di scarico continuo | 35A | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Tensione di sorgente di scarico | 3300V |
Guida all’acquisto
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| 1000+ | $51.3588 | $ 51358.8000 |
