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GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | G2R1000MT17J |
| Codice Parte EBEE | E83291152 |
| Confezione | TO-263-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $14.4649 | $ 14.4649 |
| 200+ | $5.5983 | $ 1119.6600 |
| 500+ | $5.4026 | $ 2701.3000 |
| 1000+ | $5.3039 | $ 5303.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | - | |
| La dissipazione di potenza | 54W | |
| Carica totale del cancello | - | |
| Corrente di scarico continuo | 5A | |
| Reverse Transfer Capacitance | - | |
| La capacità di ingresso | - | |
| Capacità di uscita | - | |
| La configurazione | - | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Resistenza al sisso-sorzio di scarico (15V) | - | |
| Resistenza al sisso-sorzia di scarico (18V) | - | |
| Resistenza al Saggio-Source On-State(20V) | - | |
| Tipo incapsulato | - | |
| Resistenza allo stato di drenaggio (10V) | - | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1700V | |
| Tensione della soglia di sorgente di drenaggio | - |
Guida all’acquisto
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| 200+ | $5.5983 | $ 1119.6600 |
| 500+ | $5.4026 | $ 2701.3000 |
| 1000+ | $5.3039 | $ 5303.9000 |
