| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DMWSH120H28SM4Q |
| Codice Parte EBEE | E819950048 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $40.3019 | $ 40.3019 |
| 210+ | $16.0814 | $ 3377.0940 |
| 510+ | $15.5447 | $ 7927.7970 |
| 990+ | $15.2782 | $ 15125.4180 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Diodes Incorporated DMWSH120H28SM4Q | |
| RoHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $40.3019 | $ 40.3019 |
| 210+ | $16.0814 | $ 3377.0940 |
| 510+ | $15.5447 | $ 7927.7970 |
| 990+ | $15.2782 | $ 15125.4180 |
