| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DMWS120H100SM4 |
| Codice Parte EBEE | E819950047 |
| Confezione | TO-247-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $42.6832 | $ 42.6832 |
| 210+ | $17.0317 | $ 3576.6570 |
| 510+ | $16.4624 | $ 8395.8240 |
| 990+ | $16.1811 | $ 16019.2890 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 | |
| RoHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $42.6832 | $ 42.6832 |
| 210+ | $17.0317 | $ 3576.6570 |
| 510+ | $16.4624 | $ 8395.8240 |
| 990+ | $16.1811 | $ 16019.2890 |
