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Bruckewell CMS120N080B
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CMS120N080B |
| Codice Parte EBEE | E829781281 |
| Confezione | TO-263-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $20.8173 | $ 208.1730 |
| 30+ | $19.3401 | $ 580.2030 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | Bruckewell CMS120N080B | |
| RoHS | ||
| La dissipazione di potenza | 188W | |
| Carica totale del cancello | 61nC | |
| Corrente di scarico continuo | 35A | |
| La configurazione | - | |
| Tipo di canale | 1 N-Channel | |
| Resistenza al sisso-sorzio di scarico (15V) | - | |
| Resistenza al sisso-sorzia di scarico (18V) | - | |
| Resistenza al Saggio-Source On-State(20V) | 77mΩ | |
| Tipo incapsulato | - | |
| Resistenza allo stato di drenaggio (10V) | - | |
| Tensione di sorgente di scarico | 1200V | |
| Tensione della soglia di sorgente di drenaggio | 4V |
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| 10+ | $20.8173 | $ 208.1730 |
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