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ANHI ADP120N080G2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | ADP120N080G2 |
| Codice Parte EBEE | E822470090 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-220 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | ANHI ADP120N080G2 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 100mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 188W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.377nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 62pF | |
| Gate Charge(Qg) | 58nC |
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