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AnBon AS2M040120P
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | AS2M040120P |
| Codice Parte EBEE | E819762685 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.6075 | $ 12.6075 |
| 10+ | $11.9904 | $ 119.9040 |
| 30+ | $10.9210 | $ 327.6300 |
| 90+ | $9.9869 | $ 898.8210 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET) | |
| Scheda Tecnica | AnBon AS2M040120P | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 52mΩ | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 375W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.08nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 86pF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC |
Guida all’acquisto
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| 30+ | $10.9210 | $ 327.6300 |
| 90+ | $9.9869 | $ 898.8210 |
