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AnBon AS1M025120T


Produttore
Codice Parte Mfr.
AS1M025120T
Codice Parte EBEE
E85569900
Confezione
TO-247-4
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Nome Contatto
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Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$16.6782$ 16.6782
210+$6.6553$ 1397.6130
510+$6.4325$ 3280.5750
990+$6.3230$ 6259.7700
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDispositivi del carburo di silicio (SiC) ,Transistor di effetto campo del carburo di silicio (MOSFET)
Scheda TecnicaAnBon AS1M025120T
RoHS
La dissipazione di potenza370W
Corrente di scarico continuo65A
Tipo di canale1 N-Channel
Tensione di sorgente di scarico1200V

Guida all’acquisto

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