| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | YJD212025NCTGH |
| EBEE-Teilenummer | E820605661 |
| Gehäuse | TO247-4L |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $30.0119 | $ 30.0119 |
| 195+ | $11.9755 | $ 2335.2225 |
| 495+ | $11.5750 | $ 5729.6250 |
| 1005+ | $11.3781 | $ 11434.9905 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| RoHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $30.0119 | $ 30.0119 |
| 195+ | $11.9755 | $ 2335.2225 |
| 495+ | $11.5750 | $ 5729.6250 |
| 1005+ | $11.3781 | $ 11434.9905 |
