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Tokmas CI19N120SM
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CI19N120SM |
| EBEE-Teilenummer | E82959833 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $2.7098 | $ 27.0980 |
| 30+ | $2.0063 | $ 60.1890 |
| 90+ | $1.7428 | $ 156.8520 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Tokmas CI19N120SM | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 165mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 36pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 19A | |
| Ciss-Input Capacitance | 950pF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC |
Einkaufsleitfaden
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