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SUPSiC GC3M0060065D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GC3M0060065D |
| EBEE-Teilenummer | E87435026 |
| Gehäuse | TO247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.4787 | $ 5.4787 |
| 10+ | $4.7507 | $ 47.5070 |
| 30+ | $4.3178 | $ 129.5340 |
| 90+ | $3.8795 | $ 349.1550 |
| 600+ | $3.6785 | $ 2207.1000 |
| 900+ | $3.5860 | $ 3227.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | SUPSiC GC3M0060065D | |
| RoHS | ||
| Power Dissipation | 150W | |
| Total Gate Charge | 46nC | |
| Continuous Drain Current | 29A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 9pF | |
| Input Capacitance | 1020pF | |
| Output Capacitance | 80pF | |
| Channel Type | 1 N-Channel | |
| Drain-Source On-State Resistance(15V) | 60mΩ | |
| Vgs(th) | 2.3V | |
| V(BR)DSS | 650V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $4.7507 | $ 47.5070 |
| 30+ | $4.3178 | $ 129.5340 |
| 90+ | $3.8795 | $ 349.1550 |
| 600+ | $3.6785 | $ 2207.1000 |
| 900+ | $3.5860 | $ 3227.4000 |
