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Tokmas CI7N170SM
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CI7N170SM |
| EBEE-Teilenummer | E82842690 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5003 | $ 3.5003 |
| 10+ | $3.0571 | $ 30.5710 |
| 30+ | $2.0475 | $ 61.4250 |
| 90+ | $1.7652 | $ 158.8680 |
| 510+ | $1.6358 | $ 834.2580 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Tokmas CI7N170SM | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 850mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 62W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 194pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 13pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23nC |
Einkaufsleitfaden
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