| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ASXM028120P |
| EBEE-Teilenummer | E829118251 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $12.4351 | $ 12.4351 |
| 10+ | $10.2439 | $ 102.4390 |
| 30+ | $9.1836 | $ 275.5080 |
| 90+ | $8.2942 | $ 746.4780 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | AnBon ASXM028120P | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 42mΩ@18V,40A | |
| Pd - Power Dissipation | 500W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $12.4351 | $ 12.4351 |
| 10+ | $10.2439 | $ 102.4390 |
| 30+ | $9.1836 | $ 275.5080 |
| 90+ | $8.2942 | $ 746.4780 |
