Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
InventChip IV1Q12050T4
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV1Q12050T4 |
| EBEE-Teilenummer | E82924638 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $15.6981 | $ 15.6981 |
| 10+ | $14.5884 | $ 145.8840 |
| 30+ | $13.3071 | $ 399.2130 |
| 90+ | $12.1882 | $ 1096.9380 |
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | InventChip IV1Q12050T4 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 65mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 344W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.75nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 106pF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $15.6981 | $ 15.6981 |
| 10+ | $14.5884 | $ 145.8840 |
| 30+ | $13.3071 | $ 399.2130 |
| 90+ | $12.1882 | $ 1096.9380 |
