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Tokmas CI90N120SM
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CI90N120SM |
| EBEE-Teilenummer | E85364636 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
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Minimum: 1Vielfache: 1
Stückpreis
$ 12.1314
Gesamtpreis
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Kann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $12.1314 | $ 12.1314 |
| 10+ | $10.6433 | $ 106.4330 |
| 30+ | $9.7305 | $ 291.9150 |
| 90+ | $8.9647 | $ 806.8230 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Tokmas CI90N120SM | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Ableitung der Stromableitung | 463W | |
| Total Gate Charge | 164nC | |
| Dauerstrom | 90A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 42.8pF | |
| Eingangskapazitanz | 4700pF | |
| Akapitän | 231pF | |
| Konfiguration | - | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain-Source On-State Resistance(15V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(18V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(20V) | 27mΩ | |
| Vg(th) | 2.5V | |
| Gekapselte Typ | Single Tube | |
| V(BR)DSS | 1200V | |
| Drain-Source On-State Resistance (10V) | - |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
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| 1+ | $12.1314 | $ 12.1314 |
| 10+ | $10.6433 | $ 106.4330 |
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