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Tokmas CI90N120SM
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CI90N120SM |
| EBEE-Teilenummer | E85364636 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $7.4003 | $ 74.0030 |
| 30+ | $6.6858 | $ 200.5740 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Tokmas CI90N120SM | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 27mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 42.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 463W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 90A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.7nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 231pF | |
| Gate Charge(Qg) | 164nC |
Einkaufsleitfaden
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