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Tokmas CI60N120SM4
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CI60N120SM4 |
| EBEE-Teilenummer | E82980704 |
| Gehäuse | TO-247-4L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>Auf Lager: 371
Minimum: 1Vielfache: 1
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$ 7.1436
Gesamtpreis
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Kann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.1436 | $ 7.1436 |
| 10+ | $6.3092 | $ 63.0920 |
| 30+ | $5.4948 | $ 164.8440 |
| 90+ | $5.0676 | $ 456.0840 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Tokmas CI60N120SM4 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Ableitung der Stromableitung | 330W | |
| Total Gate Charge | 160nC | |
| Dauerstrom | 60A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 29pF | |
| Eingangskapazitanz | 3550pF | |
| Konfiguration | - | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain-Source On-State Resistance(15V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(18V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(20V) | 45ｍΩ | |
| Vg(th) | 2.5V | |
| Gekapselte Typ | Single Tube | |
| V(BR)DSS | 1200V | |
| Drain-Source On-State Resistance (10V) | - |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
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