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Tokmas CI40N65SM(TOKMAS)
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CI40N65SM(TOKMAS) |
| EBEE-Teilenummer | E818214413 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $3.5692 | $ 35.6920 |
| 30+ | $3.1135 | $ 93.4050 |
| 90+ | $2.7785 | $ 250.0650 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Tokmas CI40N65SM(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 65mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC |
Einkaufsleitfaden
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