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Tokmas CI30N120M4(TOKMAS)
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CI30N120M4(TOKMAS) |
| EBEE-Teilenummer | E821547658 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 30+ | $2.0005 | $ 60.0150 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Tokmas CI30N120M4(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 96mΩ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC |
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