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SUPSiC GC3M0120090D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GC3M0120090D |
| EBEE-Teilenummer | E87435035 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | SUPSiC GC3M0120090D | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 120mΩ@15V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 97W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 23A | |
| Ciss-Input Capacitance | 414pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 48pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC |
Einkaufsleitfaden
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