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SUPSiC GC3M0075120D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GC3M0075120D |
| EBEE-Teilenummer | E87435045 |
| Gehäuse | TO247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $4.8451 | $ 48.4510 |
| 30+ | $4.1701 | $ 125.1030 |
| 90+ | $3.6753 | $ 330.7770 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | SUPSiC GC3M0075120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 75mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 32A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC |
Einkaufsleitfaden
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