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SUPSiC GC3M0065100K
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GC3M0065100K |
| EBEE-Teilenummer | E87435037 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $7.0232 | $ 70.2320 |
| 30+ | $6.2692 | $ 188.0760 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | SUPSiC GC3M0065100K | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 65mΩ@15V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113.5W | |
| Drain to Source Voltage | 1kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 32A | |
| Ciss-Input Capacitance | 760pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 37nC |
Einkaufsleitfaden
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