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SUPSiC GC3M0015065K
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GC3M0015065K |
| EBEE-Teilenummer | E87435028 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $10.3984 | $ 103.9840 |
| 30+ | $9.0130 | $ 270.3900 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | SUPSiC GC3M0015065K | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 15mΩ@15V | |
| Betriebstemperatur - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 31pF | |
| Pd - Power Dissipation | 416W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.011nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 289pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
Einkaufsleitfaden
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