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SUPSiC GC2M0080120D1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GC2M0080120D1 |
| EBEE-Teilenummer | E819271983 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
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Gesamtpreis
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Kann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1016 | $ 3.1016 |
| 10+ | $2.9328 | $ 29.3280 |
| 30+ | $2.8342 | $ 85.0260 |
| 90+ | $2.7318 | $ 245.8620 |
| 450+ | $2.6851 | $ 1208.2950 |
| 900+ | $2.6636 | $ 2397.2400 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | SUPSiC GC2M0080120D1 | |
| RoHS | ||
| Ableitung der Stromableitung | 190W | |
| Dauerstrom | 34A | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| V(BR)DSS | 1200V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
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