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SUPSiC GC2M0080120D1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GC2M0080120D1 |
| EBEE-Teilenummer | E819271983 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | SUPSiC GC2M0080120D1 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 80mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 7.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 34A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.13nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 92pF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC |
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