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SUPSiC GC2M0040120D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GC2M0040120D |
| EBEE-Teilenummer | E87435044 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
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| 10+ | $6.9827 | $ 69.8270 |
| 30+ | $5.8174 | $ 174.5220 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | SUPSiC GC2M0040120D | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 80mΩ@20V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 11pF | |
| Pd - Power Dissipation | 278W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.44nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 171pF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC |
Einkaufsleitfaden
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