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STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SCTWA40N120G2V-4 |
| EBEE-Teilenummer | E85268807 |
| Gehäuse | HiP-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | HiP-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 100mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+200℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 277W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.45V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.233nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 61nC |
Einkaufsleitfaden
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