| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SCTWA35N65G2V-4 |
| EBEE-Teilenummer | E85268820 |
| Gehäuse | HiP-247-4 |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | HiP-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $8.1305 | $ 8.1305 |
| 10+ | $7.0428 | $ 70.4280 |
| 30+ | $6.3787 | $ 191.3610 |
| 100+ | $5.8233 | $ 582.3300 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| RoHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $8.1305 | $ 8.1305 |
| 10+ | $7.0428 | $ 70.4280 |
| 30+ | $6.3787 | $ 191.3610 |
| 100+ | $5.8233 | $ 582.3300 |
