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STMicroelectronics SCTW60N120G2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SCTW60N120G2 |
| EBEE-Teilenummer | E85268796 |
| Gehäuse | HiP-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $26.3568 | $ 26.3568 |
| 30+ | $25.1367 | $ 754.1010 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | STMicroelectronics SCTW60N120G2 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 52mΩ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 20pF | |
| Pd - Power Dissipation | 389W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.969nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 113pF | |
| Gate Charge(Qg) | 94nC |
Einkaufsleitfaden
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| 1+ | $26.3568 | $ 26.3568 |
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