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STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SCTW40N120G2VAG |
| EBEE-Teilenummer | E8472655 |
| Gehäuse | HiP-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 105mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+200℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 290W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.23nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
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