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STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SCTW35N65G2VAG |
| EBEE-Teilenummer | E83281062 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $20.8392 | $ 208.3920 |
| 30+ | $19.2147 | $ 576.4410 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 67mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+200℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 30pF | |
| Pd - Power Dissipation | 240W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.37nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 73nC |
Einkaufsleitfaden
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