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STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SCTH35N65G2V-7 |
| EBEE-Teilenummer | E82970626 |
| Gehäuse | H2PAK-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | H2PAK-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $11.6529 | $ 11.6529 |
| 10+ | $11.1327 | $ 111.3270 |
| 30+ | $10.2315 | $ 306.9450 |
| 100+ | $9.4466 | $ 944.6600 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 67mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 30pF | |
| Pd - Power Dissipation | 208W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.37nF | |
| Gate Charge(Qg) | 73nC |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $11.6529 | $ 11.6529 |
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| 30+ | $10.2315 | $ 306.9450 |
| 100+ | $9.4466 | $ 944.6600 |
