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Slkor(SLKORMICRO Elec.) SL19N120A
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SL19N120A |
| EBEE-Teilenummer | E82760944 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6063 | $ 5.6063 |
| 10+ | $4.8746 | $ 48.7460 |
| 30+ | $4.0177 | $ 120.5310 |
| 90+ | $3.6435 | $ 327.9150 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Slkor(SLKORMICRO Elec.) SL19N120A | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@20V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 134W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 19A | |
| Ciss-Input Capacitance | 895pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC |
Einkaufsleitfaden
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