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Siliup SP50N120CTK
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SP50N120CTK |
| EBEE-Teilenummer | E822466829 |
| Gehäuse | TO-247-4L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Siliup SP50N120CTK | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 35mΩ@18V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 12pF | |
| Pd - Power Dissipation | 312W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 74A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.975nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 119pF | |
| Gate Charge(Qg) | 117nC |
Einkaufsleitfaden
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