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Sichainsemi S1P14R120HSE-A
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | S1P14R120HSE-A |
| EBEE-Teilenummer | E837636089 |
| Gehäuse | SOT-227 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | SOT-227 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Sichainsemi S1P14R120HSE-A | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 22pF | |
| Pd - Power Dissipation | 349W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.521nF | |
| Gate Charge(Qg) | 230nC |
Einkaufsleitfaden
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