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| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | S1P05R120HBB |
| EBEE-Teilenummer | E837636038 |
| Gehäuse | Through Hole,62.8x56.8mm |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | Plugin,62.8x56.8mm Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $70.1441 | $ 70.1441 |
| 24+ | $66.6190 | $ 1598.8560 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Sichainsemi S1P05R120HBB | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $70.1441 | $ 70.1441 |
| 24+ | $66.6190 | $ 1598.8560 |
