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Sichainsemi S1M075120H2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | S1M075120H2 |
| EBEE-Teilenummer | E822363608 |
| Gehäuse | TO-247-4L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $2.5200 | $ 25.2000 |
| 30+ | $2.2774 | $ 68.3220 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Sichainsemi S1M075120H2 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 60mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 224W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 44A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.037nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
Einkaufsleitfaden
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