| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | S1M007120PD |
| EBEE-Teilenummer | E837636035 |
| Gehäuse | TO-247-4L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $99.6867 | $ 99.6867 |
| 200+ | $39.7770 | $ 7955.4000 |
| 500+ | $38.4468 | $ 19223.4000 |
| 1000+ | $37.7898 | $ 37789.8000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Sichainsemi S1M007120PD | |
| RoHS |
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $99.6867 | $ 99.6867 |
| 200+ | $39.7770 | $ 7955.4000 |
| 500+ | $38.4468 | $ 19223.4000 |
| 1000+ | $37.7898 | $ 37789.8000 |
