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ROHM Semicon UMH4NTN
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | UMH4NTN |
| EBEE-Teilenummer | E8510064 |
| Gehäuse | SOT-363 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100@1mA,5V 150mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 100+ | $0.0355 | $ 3.5500 |
| 300+ | $0.0311 | $ 9.3300 |
| 3000+ | $0.0278 | $ 83.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased | |
| Datenblatt | ROHM UMH4NTN | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | NPN | |
| Eingangswiderstand | 10kΩ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 2 NPN (Pre-Biased) | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Current - Collector Cutoff | 0.5uA | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 300mV | |
| Transition frequency(fT) | 250MHz |
Einkaufsleitfaden
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