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Diodes Incorporated DDA113TU-7-F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DDA113TU-7-F |
| EBEE-Teilenummer | E8460022 |
| Gehäuse | SOT-363 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100@1mA,5V 200mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased | |
| Datenblatt | DIODES DDA113TU-7-F | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | NPN+PNP | |
| Eingangswiderstand | 1kΩ | |
| Widerstand Ratio | - | |
| Eingangsspannung (VI(on) Ic,Vce) | - | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 2 PNP Pre-Biased Transistors | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Current - Collector Cutoff | 0.5uA | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| Transition frequency(fT) | 250MHz | |
| Output Voltage(VO(on)) | 300mV | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | 1.9V |
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