Recommonended For You
46% off
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen

Diodes Incorporated DDA114EU-7-F


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DDA114EU-7-F
EBEE-Teilenummer
E8516586
Gehäuse
SOT-363
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
30@5mA,5V 200mW 100mA 40V SOT-363 Digital Transistors ROHS
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>
49 Auf Lager für schnelle Lieferung
49 verfügbar für sofortige Lieferung
Kann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$0.2520$ 0.2520
10+$0.2007$ 2.0070
30+$0.1791$ 5.3730
100+$0.1509$ 15.0900
500+$0.1393$ 69.6500
1000+$0.1318$ 131.8000
Bester Preis für größere Mengen?
$
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
DatenblattDIODES DDA114EU-7-F
RoHS
Temperatur-55℃~+150℃
TypNPN+PNP
Eingangswiderstand10kΩ
Widerstand Ratio1
Eingangsspannung (VI(on) Ic,Vce)3V@10mA,300mV
Collector - Emitter Voltage VCEO50V
Current - Collector(Ic)100mA
Number1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased
Pd - Power Dissipation200mW
DC Current Gain30
Emitter-Base Voltage VEBO5V
Transition frequency(fT)250MHz
Output Voltage(VO(on))300mV@10mA,500uA
Voltage - Input(Max)(VI(off))1.9V

Einkaufsleitfaden

Ausklappen